MOSFET de potencia de canal N de 55V.
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos.
La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Características |
|
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 47A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 55 V |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 22 mΩ |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 2V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1V |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -16 V, +16 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-220AB |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Configuración de transistor | Simple |
| Modo de Canal | Mejora |
| Categoría | MOSFET de potencia |
| Disipación de Potencia Máxima | 110 W |
| Tiempo de Retardo de Apagado Típico | 26 ns |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Tiempo de Retardo de Encendido Típico | 11 ns |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 48 nC a 5 V |
| Material del transistor | Si |
| Altura | 8.77mm |
| Serie | HEXFET |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Capacitancia de Entrada Típica @Vds | 1700 pF a 25 V |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Contenido del paquete
- 2 x IRLZ44N MOSFET TO 220 N-CHANEL 55V 47A