2x Irlz44n Mosfet Transistor To 220 N-chanel 55v 47a

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Descripción

MOSFET de potencia de canal N de 55V.

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos.

La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Características

Tipo de Canal N
Corriente Máxima Continua de Drenaje 47A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 55 V
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 22 mΩ
Tensión de umbral de puerta máxima 2V
Tensión de umbral de puerta mínima 1V
Tensión Máxima Puerta-Fuente -16 V, +16 V
Tipo de Encapsulado TO-220AB
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines 3
Configuración de transistor Simple
Modo de Canal Mejora
Categoría MOSFET de potencia
Disipación de Potencia Máxima 110 W
Tiempo de Retardo de Apagado Típico 26 ns
Número de Elementos por Chip 1
Tiempo de Retardo de Encendido Típico 11 ns
Carga Típica de Puerta @ Vgs 48 nC a 5 V
Material del transistor Si
Altura 8.77mm
Serie HEXFET
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C
Capacitancia de Entrada Típica @Vds 1700 pF a 25 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C

Contenido del paquete

  • 2 x IRLZ44N MOSFET TO 220 N-CHANEL 55V 47A

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